SK Hynix prépare des échantillons de production de SSD et UFS 4D NAND à 128-couches

En juin 2019, SK Hynix a annoncé la production en série d'une mémoire flash TLC (Triple-Level-Cell) 4D NAND à 128-couches et à 1 Tb (1 Terabit = 128 GB), ainsi que la préparation d'échantillons de production il y a quelques jours. Les nouveaux SSD et UFS devraient bientôt arriver sur les appareils des utilisateurs finaux.

Tout le monde sait en quoi consiste le SSD. On trouve la technologie UFS dans les téléphones portables par exemple. Et ce sont ces outils qui sont en train de porter le marché. Les capacités ne cessent de croître, les prix des HDD classiques s’effondrent et les HDD sont en train d’être remplacés par les SSD, à tout le moins sur les appareils d’utilisateur final.

Moins d’une année plus tard, un saut d’une génération

Il y a un an, SK Hynix offrait aux utilisateurs une 5ème génération de NAND 3D à 96 couches. Pour SK Hynix, cette génération à 96 couches traduisait un bond technologique majeur.
Cependant, les prix bas les amenèrent à réduire la production et leur principal produit de mémoire flash est resté la quatrième génération de NAND 3D à 72 couches. Tout ceci devrait changer avec l'arrivée de la 6ème génération de NAND 3D à 128-couches, que SK Hynix appelle NAND 4D mais qui est plutôt une appellation commerciale. Mais il n’en reste pas moins que la quatrième dimension de ces nouvelles mémoires est réellement innovante. SK Hynix a sorti de son chapeau une solution grâce à laquelle ce que l’on appelle les périphériques sont déplacés dans une couche séparée stockée sous les couches NAND. Cette solution permettra de produire des puces mémoire plus petites, ce qui sera bien évidemment apprécié par les fabricants de téléphones portables et d’autres appareils où il est primordial que les composants de l’appareil soient les plus petits possible.
Dans les générations de NAND précédentes, les périphériques étaient stockés autour des blocs NAND, ce que SK Hynix définit comme de la “périphérie sous cellule” - periphery under cell..

La 6ème génération de NAND apporte également un accroissement significatif du débit, à savoir de 1,2 GT/s à 1,4 GT/s, encore que l’accroissement de la vitesse soit limité par le contrôleur mémoire et que l’on s’attend à ce que des vitesses vraiment supérieures ne pourront être atteintes qu’après l’implémentation complète des contrôleurs de support mémoire dans les appareils des utilisateurs finaux.

Accroissement de capacité et de vitesse et baisse de consommation

Le résultat sera le NAND TLC d’1 Tb (128 GB) à 128-couches, avec un module UFS 3.1 d’1 TB d’une épaisseur d’1 mm exactement. Les modules UFS sont utilisés dans les téléphones portables haut-de-gamme et le nouvel UFS 3.1 devrait faire son entrée dans ce segment dans le courant du second semestre de 2020.

Le NAND 4D sera bien évidemment aussi utilisé dans les SSD où, par exemple, le dernier M.2 NVMe de 2 TB affichera une consommation de 3 W, soit une amélioration de 50% par rapport aux générations précédentes. Mais la capacité de 2TB du SSD n’est qu’un début. SK Hynix projette de proposer des SSD d’une capacité allant jusqu’à 16 TB, qui ne seront plus utilisées dans les postes de travail de base. Dans ce cas également, la sortie est prévue pour la seconde moitié de 2020.

Le NAND 4D à 128-couches de 6ème génération est conçu pour être utilisé dans des produits haut-de-gamme. Les 4ème et 5ème générations ne disparaîtront cependant pas du marché et, grâce à leurs prix plus favorables, continueront de se faire une place dans les installations à faible coût.

Pour terminer, permettez-moi de rappeler les recommandations en usage depuis l’aube de l’ère numérique: sauvegardez les données que vous ne voulez pas perdre. La récupération des données depuis des SSD, UFS et autres outils de stockage reposant sur le NAND peut s’avérer bien plus complexe que depuis des HDD conventionnels.